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GaP Heteroepitaxy on Si(100) Henning Döscher Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The performance of optoelectronic devices is still severely impaired by critical defect... Editeur : Springer Parution : 2013-11-29 Collection : Springer Theses ePub 94,94 € J'achète Téléchargement immédiat Dès validation de votre commande

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