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Multi-run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults



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Éditeur :

Springer


Paru le : 2018-07-06



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Description

This book describes efficient techniques for production testing as well as for periodic maintenance testing (specifically in terms of multi-cell faults) in modern semiconductor memory.  The author discusses background selection and address reordering algorithms in multi-run transparent march testing processes. Formal methods for multi-run test generation and many solutions to increase their efficiency are described in detail. All methods presented ideas are verified by both analytical investigations and numerical simulations.
Provides the first book related exclusively to the problem of multi-cell fault detection by multi-run tests in memory testing process;
Presents practical algorithms for design and implementation of efficient multi-run tests;
Demonstrates methods verified by analytical and experimental investigations.
Pages
135 pages
Collection
n.c
Parution
2018-07-06
Marque
Springer
EAN papier
9783319912035
EAN PDF
9783319912042
Informations sur l'ebook
Nombre pages copiables
1
Nombre pages imprimables
13
Taille du fichier
2673 Ko
Ce livre est accessible aux handicaps Voir les informations sur l'accessibilité
Prix
52,74 €
EAN EPUB
9783319912042
Informations sur l'ebook
Nombre pages copiables
1
Nombre pages imprimables
13
Taille du fichier
4434 Ko
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Prix
52,74 €

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