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Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT



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Éditeur :

Springer


Collection :

Springer Theses

Paru le : 2017-10-24



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Description

This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique based on non-linear rational function fitting. It also presents the total dose effects irradiated by gamma rays and heavy ions, as well as the single-event transient induced by pulse laser microbeams. It offers readers essential information on the irradiation effects technique and the SiGe HBTs model using that technique.
Pages
168 pages
Collection
Springer Theses
Parution
2017-10-24
Marque
Springer
EAN papier
9789811046117
EAN PDF
9789811046124
Informations sur l'ebook
Nombre pages copiables
1
Nombre pages imprimables
16
Taille du fichier
9615 Ko
Ce livre est accessible aux handicaps Voir les informations sur l'accessibilité
Prix
94,94 €
EAN EPUB
9789811046124
Informations sur l'ebook
Nombre pages copiables
1
Nombre pages imprimables
16
Taille du fichier
3820 Ko
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Prix
94,94 €

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