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Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors



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Éditeur :

Springer


Paru le : 2013-04-23



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Description

Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors gives comprehensive coverage of the fundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors. The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization, are fully explored. The solutions to these issues, such as high-? technology, strained-Si technology, alternate devices structures and graphene technology are also given. Some case studies regarding the above issues and solution are also given in the book.
Pages
201 pages
Collection
n.c
Parution
2013-04-23
Marque
Springer
EAN papier
9781461468219
EAN EPUB
9781461468226
Informations sur l'ebook
Nombre pages copiables
2
Nombre pages imprimables
20
Taille du fichier
2376 Ko
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Prix
94,94 €

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