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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

Fabrication, Modeling and Applications

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Éditeur :

Springer


Paru le : 2013-11-20



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Description

The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated.
Pages
134 pages
Collection
n.c
Parution
2013-11-20
Marque
Springer
EAN papier
9788132216346
EAN EPUB
9788132216353
Informations sur l'ebook
Nombre pages copiables
1
Nombre pages imprimables
13
Taille du fichier
3246 Ko
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Prix
94,94 €

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